ИФТТМТ
Институт физики твёрдого тела, материаловедения и технологий
НАН Украины

Новые системы формирования плазменных потоков


С высоким коэффициентом переноса массы плазмообразующего материала на изделие. Дают возможность получать моно- и многослойные покрытия толщиной до 1-2 мм.


Наше оборудование
торцевые катодные узлы

Длинномерные катоды:
цилиндрические - для нанесения покрытий на внутренние поверхности труб, конусов и т.д.,
плоские - для равномерной обработки больших поверхностей (длина катода не имеет принципиальных ограничений).

Камера установки с планарным катодом

Камера установки с планарным катодом

Катодный узел

Катодный узел длинномерного испарителя с цилиндрическим катодом


Комплексная обработка изделий
  1. Bключает ионное азотирование в высокоплотных потоках плазмы со cкоростью 10 -150 мкм/ час на глубину до 500 мкм, плюс нанесение покрытий необходимой толщины.
  2. Повышает ресурс работы деталей и инструментов на 300 -2000%.

Технология получения многослойных пленок
  • От металлических до любых композиций металлов и их соединений (типа оксидов, нитридов, карбидов) с уникальными свойствами.
  • Обеспечивают высоко-эфективное повышение износостойкости и долговечности покрытых деталей.

Металлизация
Металлизация
Порошков и поликристаллических зерен сверхтвердых материалов, в том числе природных и синтетических алмазов (диаметр 400 мкм и более).





Внешний вид и основные характеристики установки с прямолинейным фильтром
установка с прямолинейным фильтром
диаметр катода 60мм
ток дуги до: 50-100А
ионный ток на выходе фильтра до:
Высокое качество фильтрации плазмы
скорость осаждения покрытий до: 18мкм/ч
Эффективная область однородности покрытия:
на диаметре(без вращения подложки)
5%,
180мм


Высокое качество фильтрации иллюстрирует изображение метки на поверхности подложки из монокристаллического кремния до и после нанесения покрытия: пленка хорошо воспроизводит рельеф подложки.

Кремниевая подложка Подложка с покрытием Ti
Кремниевая подложка
без покрытия
Подложка с покрытием Ti
толщиной 10 мкм
go to ISSPMT