Харківський фізико-технічний інститут / ІФТТМіТ /

ВІДДІЛ ЧИСТИХ МЕТАЛІВ, МЕТАЛОФІЗИКИ ТА ТЕХНОЛОГІЇ НОВИХ МАТЕРІАЛІВ

НАУКОВО-ДОСЛІДНА ЛАБОРАТОРІЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ

РОЗРОБКИ

Моделювання температурних умов вирощування монокристалів,  

їх електрофізичних властивостей, а також процесів рафінування металів

 За допомогою комп`ютерного моделювання знайдений новий спосіб вирощування монокристалів GaAs методом Кіропулоса в тонкому шарі розплаву

  Проведено кількісне дослідження технологічних прийомів поліпшення теплового режиму вирощування кристалів GaAs і алюмоїттрієвого граната в методі Чохральського

  Методом комп`ютерного моделювання досліджено електрофізичні властивості GaAs, CdTe і CdZnTe залежно від вмісту в них структурних недосконалостей

  Розрахунковим шляхом визначено коефіцієнти поділу і розподілу домішкових елементів при дистиляції та кристалізації металів