Публикации

I.A. Sokolov, M.A. Bryushinin, V.V. Kulikov, A.S. Abyzov, L.N. Davydov, V.E. Kutny, A.V. Rybka, V.V. Slezov. Characterization of CdTe, Cd_xZn_1−xTe and GaAs detectors // Nucl. Instr. & Meth. A, 2009, vol. 610, no. 1, pp.298-301.
Abstract Full text (PDF, 207 KB) Abstract
We report space-and-time current spectroscopy for characterization of high-quality GaAs thin films grown on semi-insulating gallium arsenide substrates. The approach is based on illumination of semiconductor material with an oscillating interference pattern formed of two light waves, one of which is phase modulated with frequency ω. The non-steady-state photocurrent flowing through the short-circuited semiconductor is the measurable quantity in this technique. The alternating current resulted from the periodic relative shifts of the photoconductivity and space charge electric field gratings arising in the crystal's volume under illumination. The results of measurements of semiconductor material's parameters of CdTe and Cd_xZn_1−xTe detectors are presented. The experiments are carried out for the diffusion regime of signal excitation at light wavelength λ = 1.15 μm. The sign, conductivity and diffusion length are estimated from the dependencies of the signal on the temporal and spatial frequencies. The high-quality GaAs thin films grown on semi-insulating gallium arsenide substrates are characterized. The experiments are carried out in the geometry of the Michelson interferometer at the illumination wavelength of 532 nm. The dependence of the non-steady-state photocurrent on spatial frequency of the interference pattern is measured, allowing estimation of the diffusion length of photoelectrons in GaAs thin film L_D = 40 μm.
В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, А.А. Веревкин, Д.В. Наконечный, К.В. Кутний, С.Ю. Саенко, Г.А. Холомеев, А.В. Пилипенко. Газостатическая обработка структур Au-CdZnTe-Au для детекторов рентгеновского и гамма-излучения // Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ). Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники, 2008, вып. 1(17), c.123-128.
Аннотация Статья (PDF, 507 КБ) Аннотация
Исследовалось влияние газостатической обработки на электрофизические свойства структур Au-CdZnTe-Au для детекторов рентгеновского и гамма-излучения. Обработка проводилась в лабораторной газостатической установке ГАУС-4/2000-35 по режиму: 0,32 ± 0,02 ГПа, ∼ 170°С, 2 ч. Определено влияние обработки на электросопротивление, вольт-амперные и детектирующие характеристики исследуемых структур.
А.А. Захарченко, А.А. Веревкин, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка, М.А. Хажмурадов. Моделирование функции отклика CdZnTe детекторов для дозиметрии гамма-излучения // Вестник ХНУ. Серия физическая "Ядра, частицы, поля", 2008, № 832, вып. 4(40), с.71-76.
Аннотация Статья (PDF, 293 КБ) Аннотация
На основе метода Монте-Карло разработана методика восстановления функций отклика планарных CdZnTe детекторов для дозиметрии гамма-излучения. В работе представлены результаты применения данной методики для восстановления функций отклика CdZnTe детектора на гамма-излучение от ²⁴¹Am и ¹³⁷Cs. Для надежного восстановления функций отклика детекторов достаточно экспериментальных спектров всего от трех источников: ²⁴¹Am, ¹⁵²Eu и ¹³⁷Cs. Полученные результаты использованы для расчета дискретной чувствительности регистрации дозиметрического блока детектирования на основе CdZnTe.
Д.В. Кутний, В.Е. Кутний, Н.П. Одейчук, В.Е. Товканец, А.В. Рыбка, А.А. Захарченко. Использование активного нейтронного счетчика совпадений в задачах разработки полупроводниковых детекторов нейтронного потока // Вестник ХНУ. Серия физическая "Ядра, частицы, поля", 2008, № 823, вып. 3(39), с.71-77.
Аннотация Статья (PDF, 1074 КБ) Аннотация
В работе рассмотрены особенности регистрации нейтронов радиоизотопного источника ²⁴¹AmLi с помощью полупроводникового детектора гамма-излучения на основе германия высокой чистоты и конвертера нейтронов в гамма-кванты на основе Cd. Проведено измерение гамма-фона ²⁴¹AmLi-источника нейтронов в области энергий 200… 800 кэВ, идентифицированы основные гамма-линии с интенсивностью ≥ 2×10^-6 %. Подтверждено возникновение мгновенных гамма-квантов с энергиями 558,6 и 651,3 кэВ в результате взаимодействия нейтронов с Cd-конвертером. Оценена эффективность регистрации нейтронов коаксиальным германиевым детектором Ø50,5×42,5 мм.
А.А. Захарченко, И.М. Прохорец, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка, М.А. Хажмурадов. Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008, № 3, с.41-45.
Аннотация Статья (PDF, 140,5 КБ) Аннотация
Рассмотрен метод определения параметров переноса заряда в детекторах гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников с использованием численного расчета эффективности сбора заряда и чувствительности детекторов.
А.А. Захарченко, В.Е. Кутний, Д.В. Наконечный, И.М. Прохорец, А.В. Рыбка, М.А. Хажмурадов. Методы определения параметров переноса заряда в CdTe (CdZnTe) детекторах гамма-излучения // Вестник ХНУ. Серия физическая "Ядра, частицы, поля", 2007, № 784, вып. 4(36), с.85-92.
Аннотация Статья (PDF, 478,5 КБ) Аннотация
Дан сравнительный анализ методов определения параметров переноса заряда (μτ)_e и (μτ)_h в рабочем веществе спектрометрических и дозиметрических детекторов на базе высокоомных полупроводников. Рассмотрена задача определения этих параметров в планарных CdTe (CdZnTe) детекторах гамма-излучения с использованием их экспериментальных дозиметрических характеристик и данных моделирования γ-спектров. Разработана методика определения транспортных параметров тестируемых детекторов, основанная на измерении эффективности сбора заряда в низкоэнергетической области γ-спектра (например, по линии 59,54 кэВ ²⁴¹Am), измерении чувствительности детектора в высокоэнергетической области (например, по линии 661,67 кэВ ¹³⁷Cs) и сопоставлении этих данных с данными моделирования. Предложенный метод может использоваться при проектировании новых спектрометрических и дозиметрических приборов для контроля радиационной безопасности и контроля характеристик приборов в процессе эксплуатации в мощных радиационных полях.
В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, В.Н. Борисенко, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка, И.Н Шляхов, А.А. Захарченко. Спектрометрия гамма- и альфа-излучений полупроводниковыми детекторами на основе CdTe (CdZnTe) // Ядерна фізика та энергетика, 2007, № 4(22), с.109-113.
Аннотация Статья (PDF, 354 КБ) Аннотация
Представлены результаты исследования спектрометрических характеристик CdTe (CdZnTe) детекторов при регистрации гамма-излучений в диапазоне 15 - 500 кэВ и альфа-излучений в диапазоне 4 - 8 МэВ. Было показано, что такие детекторы могут быть использованы для решения аналитических задач с определением элементов от лантана до плутония с регистрацией характеристического излучения К-серии и спектрометрии частиц в методе ядерных реакций и при идентификации изотопов.
А.А. Захарченко, Д.В. Наконечный, И.Н. Шляхов, А.В. Рыбка, В.Е. Кутний, М.А. Хажмурадов. Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007, № 1, с.28-31.
Аннотация Статья (PDF, 116 КБ) Аннотация
На основе разработанной модели исследованы способы коррекции зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов от энергии γ-излучения в диапазоне 50… 2000 кэВ.
В.М. Ажажа, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка, Л.Н. Давыдов, И.Н. Шляхов, А.А. Захарченко, Д.В. Кутний, Д.В. Наконечный. Приборы на основе CdTe и CdZnTe для технологического контроля и мониторинга радиационной обстановки на АЭС // Наука та інновації, 2006, 2, № 6, с.31-38.
Аннотация Аннотация
Описаны приборы на основе широкозонного полупроводникового соединения CdTe, CdZnTe - широкодиапазонный дозиметр γ- и рентгеновского излучений, а также дозиметр для контроля мощности дозы излучения в аварийных ситуациях. Детекторы γ- и рентгеновского излучений на основе CdTe и CdZnTe обладают рядом преимуществ, которые позволяют успешно применять их при дозиметрии и спектрометрии различных источников ионизирующих излучений. К преимуществам CdZnTe-детекторов относятся широкий диапазон измерения потоков и энергии фотонов, высокая эффективность их регистрации и удовлетворительное энергетическое разрешение без необходимости глубокого охлаждения детектора. Разработанные приборы предназначены для систем радиационного контроля и управления технологическими процессами на АЭС и в ядерной энергетике. Они также могут быть использованы при исследовании (характеризации) радиоактивных отходов. Представлены дозиметрические характеристики этих приборов.
Д.В. Кутний, И.М. Прохорец, А.В. Рыбка, Д.В. Наконечный, С.И. Прохорец, А.А. Захарченко, К.В. Кутний. Методика измерения электромагнитного излучения полупроводниковыми детекторами // Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ). Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники, 2006, вып. 1(15), с.163-169.
Аннотация Статья (PDF, 539 КБ) Аннотация
Источники излучений испускают α-частицы, позитроны, электроны, электромагнитное излучение (гамма-кванты, рентгеновское излучение), нейтроны, фрагменты деления ядер и т.д.. Каждый вид излучения характеризуется многими параметрами, прежде всего, спектром испускаемых энергий. В основе детектирования всех видов излучения лежат процессы, протекающие при прохождении излучения через вещество. В работе рассмотрены особенности использования полупроводниковых детекторов для спектрометрии гамма-излучений. Методами математического моделирования оценено энергетическое разделение CdZnTe-детекторов толщиной 1 и 10 мм. Обоснован выбор параметров спектрометрического тракта при проведении экспериментов с CdZnTe(CdTe)-детекторов.
Л.Н. Давыдов, А.А. Захарченко, Д.В. Кутний, В.Е. Кутний, И.М. Неклюдов, А.В. Рыбка, И.Н. Шляхов. Радиационная стойкость полупроводниковых детекторов корпускулярного и гамма-излучения // Вестник ХНУ. Серия физическая "Ядра, частицы, поля", 2005, № 657, вып. 1(26), с.3-22.
Аннотация Статья (PDF, 185,5 КБ) Аннотация
В полупроводниковых детекторах ионизирующих излучений в процессе их эксплуатации создаются радиационные повреждения, которые ухудшают свойства приборов и могут вывести их из строя. В дозиметрах деградируют счетные характеристики детекторов. В спектрометрах ухудшается энергетическое разрешение, увеличивается ток утечки, положение фотопика сдвигается в сторону меньших значений энергии. В обзоре изложено современное понимание процессов радиационной деградации свойств детекторов и описаны имеющиеся методы продления радиационного ресурса приборов. Приведены данные о наиболее исследованных кремниевых детекторах, а также получивших широкое применение в последние годы широкозонных полупроводниковых детекторах, таких как CVD алмаз, CdTe и CdZnTe. Описаны исследования радиационного ресурса дозиметрических и спектрометрических детекторов из CdTe и CdZnTe, проводимые в ННЦ ХФТИ. Приведены счетные характеристики и амплитудные спектры радионуклида ¹³⁷Cs в зависимости от величины поглощенной дозы гамма-излучения. Показано, что детекторы из CdTe и CdZnTe обладают повышенной радиационной стойкостью по сравнению с традиционными кремниевыми детекторами. Спектрометрические свойства сохраняются при регистрации гамма-излучения до значения поглощенной дозы около 20 кГр, а дозиметрические характеристики - порядка сотен кГр.
А.С. Абызов, В.М. Ажажа, Л.Н. Давыдов, Г.П. Ковтун, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка. Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004, № 3, с.3-6.
Аннотация Статья (PDF, 107 КБ) Аннотация
На основе физических параметров, критичных для детектирующей способности детектора, проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.
С.А. Леонов, Д.В. Кутний, Д.В. Наконечный, Л.Н. Давыдов, А.А. Захарченко, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка. Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe // Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ). Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники, 2004, вып. 6(14), с.147-151.
Аннотация Статья (PDF, 246 КБ) Аннотация
Описан предложенный авторами метод ионно-плазменной пассивации боковой поверхности полуизолирующего полупроводникового кристалла, такого как CdZnTe. Показано, что пассивация может успешно осуществляться при нанесении покрытия не только из TiO₂, но и из Al₂O₃ или ZrO₂. Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) детекторных сенсоров, изготовленных из CdZnTe с пассивированной боковой поверхностью. Проанализированы температурные зависимости ВАХ. Показано, что даже при T≈0°C пассивированная поверхность не влияет на работу детектора из CdZnTe.
В.Е. Кутний, А.В. Рыбка, Д.В. Кутний, И.Н. Шляхов, Д.В. Наконечный. Разработка дозиметрических и спектрометрических блоков регистрации гамма-излучения на основе полупроводникоых соединений CdTe (CdZnTe) для АЭС Украины // Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ). Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 2004, вып. 3(85), с.96-100.
Аннотация Статья (PDF, 766 КБ) Аннотация
В существующих системах ядерной и радиационной безопасности АЭС Украины используются блоки детектирования ионизирующих излучений на основе ионизационных счетчиков, камер деления, сцинтилляционных датчиков. По сравнению с ними полупроводниковые детекторы обладают меньшими габаритами и весом, более широким динамическим диапазоном, более высоким квантовым выходом, радиационной стойкостью, лучшими энергетическим разрешением и отношением сигнал/шум. В работе приведены исследования, подтверждающие указанные качества.
A.V. Rybka, L.N. Davydov, I.N. Shlyakhov, V.E. Kutny, I.M. Prokhoretz, D.V. Kutny, A.N. Orobinsky. Gamma-radiation dosimetry with semiconductor CdTe and CdZnTe detectors // Nucl. Instr. & Meth. A, 2004, vol. 531, pp.147-156.
Аннотация Статья (PDF, 446 КБ) Аннотация
Problems related to the dosimetry of γ-radiation, in particular of high intensity, are investigated together with operational performances of detectors, their temperature stability, reproducibility and reliability of detector measurements. A comprehensive study was carried out of CdTe detectors, obtained by the Bridgman growth method, and CdZnTe detectors, crystallized by the Bridgman method at high pressure of inert gas. All the investigated ingots were of p-type conductivity. The current-voltage characteristics and dynamic resistance of detectors from CdTe and CdZnTe were measured over a wide range of operational temperatures (−30 to +70°C) and bias voltages (−300… +300 V). The dosimetry performance of CdTe and CdZnTe γ-radiation detectors was tested with standard calibration dosimetry rigs of different intensity. The relation between the detector count rate (count mode of operation) or detector anode current (integrated, or current mode of operation) and the exposure dose rate (EDR) of the γ-radiation was established. The count rate of the radiation registered from different sources (²⁴¹Am, ¹³⁷Cs, ⁶⁰Co) in the count mode depends linearly on EDR in the EDR range from 10 μR/h up to 1 R/h. In high-intensity radiation fields a measurement of the current induced by the γ-radiation, i.e. with the detector operating in "current mode", is preferable. In this case, our researches have shown that the EDR dependence of the output voltage of the current-voltage converter is linear in the range from 20 R/h up to 5000 R/h. Several designs of "detector-absorbing filter" sets were proposed for the correction of the energy dependence of the CdTe and CdZnTe detector absorption efficiency. An experimental detector unit equipped with an optimized "detector-filter" set had a discrete sensitivity of 350 counts/R (±20%) in the energy range 0.06… 1.2 MeV.
V.M. Azhazha, V.E. Kutnii, A.V. Rybka, I.N. Shlyakhov, D.V. Kutnii, A.A. Zakharchenko. Application of Detectors Based on the Wide-Gap Semiconductors CdTe, CdZnTe, and GaAs for Nuclear Power Plant Safety Monitoring // Atomic Energy, June 2002, vol.92(6), с.508-513.
Аннотация Статья (PDF, 46,5 КБ) Аннотация
Units for detecting ionizing radiation which are based on ionization counters, fission chambers, and scintillation sensors are used in nuclear and radiation safety systems in nuclear power plants. In comparison, semiconductor detectors are smaller and have a small mass, a wider dynamical range, a higher quantum yield, better radiation resistance, and better energy resolution and signal/noise ratio. Investigations confirming these qualities are presented in the paper.
Л.Н. Давыдов, А.Н. Довбня, А.А. Захарченко, В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, И.М. Прохорец, А.В. Рыбка, И.Н. Шляхов. Применение полупроводниковых детекторов для учета и контроля РАО // Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ). Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 2002, вып. 3(81), с.142-146.
Аннотация Статья (PDF, 406 КБ) Аннотация
Показаны состояние разработки, а также возможности современных полупроводниковых детекторов и приборов, предназначенных для контроля радиационной обстановки на предприятиях атомной промышленности, в т.ч. на объекте "Укрытие" и в хранилищах отработанного ядерного топлива. Такие приборы, созданные в последние годы, могут с успехом применяться для измерения уровня мощности экспозиционной дозы гамма-излучения и оценки изотопного состава ядерных материалов и радиоактивных отходов, причем как в технологических циклах, так и в аварийных ситуациях.
A.V. Rybka, S.A. Leonov, I.M. Prokhoretz, A.S. Abyzov, L.N. Davydov, V.E. Kutny, M.S. Rowland and C.F. Smith. Influence of detector surface processing on detector performance // Nucl. Instr. & Meth. A, 2001, vol. 458, pp.248-253.
Аннотация Статья (PDF, 163 КБ) Аннотация
Characteristics of gamma-ray semiconductor detectors essentially depend on properties of crystal surface. The status of a lateral surface influences surface leakage current of the detector, and the status of a surface, on which the contacts are made, influences properties of contacts and, thus, a volume leakage current and the highest possible bias voltage. In this connection several ways of processing the lateral surface of CdZnTe and CdTe crystals grown by a high-pressure Bridgman method were investigated: chemical etching, ion cleaning, passivation. Influence of a preliminary processing of a crystal surface on the properties of ohmic contacts is investigated. An analysis of electrophysical properties of crystals subjected to surface processing is carried out.
V.E. Kutny, A.V. Rybka, A.S. Abyzov, L.N. Davydov, V.K. Komar, M.S. Rowland and C. F. Smith. AlSb single-crystal grown by HPBM // Nucl. Instr. & Meth. A, 2001, vol. 458, pp.448-454.
Аннотация Статья (PDF, 179 КБ) Аннотация
Theoretical prognosis for AlSb places this widegap compound among the best materials for room temperature detectors and spectrometers. However, results experimentally obtained with AlSb are somewhat discouraging showing the necessity for improving the compound quality. The main difficulties connected with single-crystal growth are high reactivity of the melt with crucible material and a high volatility of Sb. In order to counteract the latter obstacle, an attempt was undertaken to synthesize and grow AlSb crystals by HPBM under the inert gas pressure of 40 atm. Different crucible materials: aluminum oxide, vitreous carbon, quartz, graphite, beryllium oxide, and zirconium oxide were tested and their comparative analysis was made. The obtained crystals were investigated and some electrophysical properties measured.
A.S. Abyzov, L.N. Davydov, V.E. Kutny et al. Correlation Between Spectrometric Ability and Physical Properties of Semiconductor Detectors // Functional Materials, 2000, vol. 7, no. 4(2), pp.827-835.
Аннотация Аннотация
Среди полупроводниковых кристаллов, которые используют в спектрометрах, ведущие позиции принадлежат широкозонным соединениям Cd_1−xZn_xTe, CdTe, HgI₂. Сделана попытка определить, или есть этот выбор окончательным и оптимальным, отобраны физические параметры, критические для спектроскопической способности детектора: подвижность, время жизни, атомный номер и удельное сопротивление. С использованием периодической таблицы, на базе выбранных параметров проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой. Недостаток теоретических и экспериментальных данных, их несоответствие не позволяют сравнивать все соединения. Собраны и проанализированы имеющиеся данные.
В.Е. Кутний, А.В. Рыбка, И.М. Прохорец, Л.Н. Давыдов, А.С. Абызов, А.Н. Довбня, С.П. Карасев, В.Л. Уваров, И.Н. Шляхов. Исследование радиационной стойкости детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe и CdZnTe // Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ). Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 2000, вып. 4(78), с.212-214.
Аннотация Статья (PDF, 214 КБ) Аннотация
В полупроводниковых детекторах ионизирующих излучений в процессе их эксплуатации создаются радиационные повреждения, которые ухудшают свойства приборов и могут вывести их из строя. В спектрометрах ухудшается энергетическое разрешение, увеличивается ток утечки, положение фотопика сдвигается в сторону меньших значений энергии. В дозиметрах деградируют их счетные характеристики. Основной целью настоящего исследования было определение радиационного ресурса дозиметрических детекторов из CdTe и CdZnTe. Для испытаний были отобраны детекторы из CdTe и CdZnTe, не обладавшие спектрометрическими свойствами и использовавшиеся в дозиметрическом режиме. Получены зависимости счетных характеристик детекторов от величины поглощенной дозы. В частности, обнаружено, что CdZnTe сохраняет чувствительность к регистрации гамма-излучения в счетном режиме до значения поглощенной дозы 75 Мрад, в то время как радиационная деградация детекторов из CdTe наблюдается при меньших дозах (20 Мрад).
А.В. Рыбка, И.М. Прохорец, И.Н. Шляхов, А.А. Захарченко, А.А. Блинкин, Л.Н. Давыдов, М.А. Кузьмичев, Д.В. Кутний, А.Н. Оробинский, Н.И. Кравченко. Дозиметрические характеристики детекторов рентгеновского и гамма-излучения на основе (CdZnTe) // Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ). Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 2000, вып. 4(78), с.208-211.
Аннотация Статья (PDF, 239 КБ) Аннотация
Исследовано влияние рентгеновского и гамма-излучения на рабочие характеристики детекторов из CdTe и CdZnTe. Кристаллы CdTe были получены традиционным методом Бриджмена, а CdZnTe - методом Бриджмена при высоком давлении инертного газа. Приведены счетные характеристики детекторов, дискретная чувствительность и ее зависимость от мощности излучения для источников ²⁴¹Am, ¹³⁷Cs и ⁶⁰Co. Для ¹³⁷Cs дискретная чувствительность составляет величину порядка 60 имп/мкР при мощности излучения до 1 Р/ч. Проведенные исследования показали, что расширение диапазона МЭД возможно при изменении рабочего объема детектора или уровня дискриминации сигнала.
Ю.А. Грибанов, В.С. Рингис, В.Г. Скоромный, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка, И.Н. Шляхов. Перспективы использования полупроводниковых материалов из CdTe (CdZnTe) при реконструкции АЭС Украины // Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ). Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 2000, вып. 4(78), с.203-207.
Аннотация Статья (PDF, 194 КБ) Аннотация
Реконструкция систем радиационного контроля на АЭС Украины - актуальная задача, поскольку штатная аппаратура АКРБ-03, которой оснащены АЭС, разработана в конце 70-х и уже выработала свой ресурс. Кроме того, нормативная база по радиационной безопасности на объектах атомной энергетики претерпела значительные изменения - введены в действие НРБУ-98, ОПБ-88, СПАС-88 и т.д., что привело к несоответствию между эксплуатируемыми средствами радиационного контроля и требованиями этих документов. В связи с этим была разработана автоматизированная система контроля радиационной безопасности (АСКРБ), предназначенная для комплексного контроля радиационной безопасности АЭС. В процессе создания АСКРБ были разработаны проектные решения включающие: техническое, математическое, информационное, лингвистическое, программное, метрологическое и организационное обеспечение. Кроме того, разработаны решения по обеспечению требований электромагнитной совместимости и работоспособности аппаратуры АСКРБ в сложной радиационной обстановке. Все технические средства разработанной си стемы отвечают требованиям "Специальных условий поставки оборудования на АЭС", имеют гарантийное обеспечение качества, обладают высокой надежностью, сейсмостойкостью и пожаробезопасностью. Ниже приведены общесистемные принципы построения АСКРБ.