Некоторые ПУБЛИКАЦИИ и ПАТЕНТЫ последних лет

Разработка вопросов теории дистилляционного и кристаллизационного рафинирования, компьютерное моделирование температурных условий выращивания монокристаллов и их свойств, экспериментальные исследования

  1. Г.Ф. Тихинский, Г.П. Ковтун, В.М. Ажажа. Получение сверхчистых редких металлов. Монография. М., Металлургия, 1986, 160 с.
  2. В.М. Ажажа, Г.Ф. Тихинский, Г.П. Ковтун. Получение и металлофизика особо чистых металлов. // Металлофизика и новейшие технологии, 2000, т.22, №2, с.21-35.
  3. A.I. Kravchenko. Simple substances refining: efficiency of distillation methods // Functional Materials, 2000 - V. 7. - N. 2. -  P. 315-318.
  4. Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко,  А.П. Щербань. Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники //Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, №3, с. 6-8.
  5. L.N.Davydov, O.A. Datsenko, A.I. Kondrik at al. Numerical simulation of CdZnTe semiconductor resistivity as a function of the impurity composition. // Functional Materials, 2001, v.8, №2, p.228-232.
  6. В.М. Ажажа, И.М. Неклюдов, Г.П. Ковтун. Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2002, №6, с.3-6.
  7. А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун. Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений //Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, №6, с.3-6
  8. Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, В.Д. Вирич. Получение цинка высокой чистоты сочетанием дистилляционного и кристаллизационного методов очистки. // Вісник Хар. Нац. Університету, №619 Серія фізична "Ядра, частки, поля" 2004, вып.1(23), с. 95-104.
  9. Г.П. Ковтун, А.П. Щербань. Получение кадмия высокой чистоты для микроэлектоники. // Вісник Хар. Нац. Університету, №642 Серія фізична "Ядра, частки, поля" 2004, вып.3(25), с. 27-34.
  10. Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, О.А. Даценко. Классификация поведения примесей в цинке, кадмии и теллуре при кристаллизации. // ВАНТ. Серия: "Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники", (14). 2004, №6, с. 16-20.
  11. Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань. Технологические приёмы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского// Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004. - № 6, с. 3-6.
  12. А.И. Кондрик. Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004. - № 6, с. 17-22.
  13. Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик. Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном  выращивании // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005. - № 3, с. 5-7.
  14. Г.П. Ковтун, А.И. Кондрик, А.П. Щербань. Влияние условий направленной кристаллизации на глубокую очистку металлов. // Вопросы атомной  науки и техники. Сер. "Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники". - 2007. - № 4(16),  с. 19-23.
  15. И. М. Неклюдов, В. М. Ажажа, В. И. Соколенко, Л. А. Чиркина, Г.П. Ковтун и др. Влияние деформации, производимой ковкой при криогенных температурах, на эволюцию текстуры титана. //Вопросы материаловедения, 2007, №4(52), с. 174-179.
  16. А.И. Кравченко. Уравнение распределения примеси в твёрдом дистилляте //Неорганические материалы, 2007. T. 43.  № 8, с. 1021-1022.
  17. A.I. Kravchenko. On combination of floating-zone recristallization with other purification methods // Functional Materials, 2007 - V. 14. - N. 2. -  P. 266-268.
  18. А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун. Сплавы на основе ванадия в термоядерной энергетике. // Вісник Хар. Нац. Університету, №823 Серія фізична "Ядра, частки, поля" 2008, вып.3(39), с.4-24.
  19. G.P. Kovtun, A.P. Shcherban', D.A. Solopikhin, V.G. Glebovsky. Production of high-purity metals. Proceedings of the 1st International Workshop Radiopure Scintillators for EURECA, RPScint' 2008. p.54-58.
  20. Р. Бернабей, В.Д. Вирич, Б.В. Гринев, Ф.А. Даневич, Г.П. Ковтун и др. Получение Cd и 106Cd высокой чистоты для сцинтилляторов CdWO4 и 106CdWO4 // Металлофизика и новейшие технологии, 2008, т.30, спецвыпуск, с.477-486.
  21. G.P. Kovtun, A.P. Shcherban', D.A. Solopikhin, V.D. Virich, V.G. Glebovsky. Purification of cadmium and lead for low-background scintillators. Proceedings of the 1st International Workshop Radiopure Scintillators for EURECA, RPScint' 2008, p. 59-63.
  22. A.I. Кравченко. Дистилляция с вытягиванием дистиллята: новый способ рафинирования // Вопросы атомной науки и техники, 2008. № 1 -  Серия: "Вакуум, чистые мат., сверхпроводники" (17), - С. 18-19.
  23. В.Г. Глебовский, Г.П. Ковтун, Н.К. Ковтун, Е.Д. Штинов. Исследование процессов получения и особенностей свойств высокочистого вольфрама // Вісник Хар. Нац. університету, №845, Серія фізична "Ядра, частинки, поля", 2009, вип. 1 (41), с.67-70.
  24. А.И. Кравченко. Дистилляционное устройство. Патент Украины № 485 - Бюл. № 1, 2000 г.
  25. Г.П. Ковтун, О.П. Щербань. Пристрій для рафінування металів дистиляцією у вакуумі: Патент №1246, Україна, С22В9/04, С22В9/187,  Бюл. № 5, 2002.
  26. Г.П. Ковтун, О.П. Щербань, Ю.Є. Ніколаєнко. Спосіб одержання монокристалів арсеніду галію: Деклараційний патент №64602 А, Україна. Заявл. 15.07.2003 №2003076607. Бюл.№2, 2004.
  27. С.Б. Берінгов, Ю.Г. Шульга, Т.В. Власенко, Г.П. Ковтун, О.П. Щербань, Ю.В. Горбенко. Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію. Патент на винахід №77874 Україна. Заявка № 200505239. Опубл. 15.01.2007, Бюл.№1.
  28. С.Ю. Ларкін, Г.П. Ковтун, О.П. Щербань, О.І. Кравченко. Спосіб рафінування цинку: Патент № 4703, Україна, С22В9/04, С22В9/187, Бюл. № 1, 2005.
  29. С.Ю. Ларкін, Г.П. Ковтун, О.П. Щербань. Спосіб рафінування металів: Патент № 22541, Україна, С22В9/04, С22В9/187, Бюл. № 4, 2007.
  30. Г.П. Ковтун, О.І. Кравченко Спосіб рафінування галію. Деклараційний патент №22877 на корисну модель, Україна. Заявл. 28.12.2006. №200614026 Опубл. 25.04.2007.
ENG
ENG